三极管的学习和理解一直是个难点，电路的尽头总是二极管、三极管、MOSFET管，可是对三极管的认识也是一知半解，经过一段时间痛苦的学习，现在稍微总结一下，理解也许会有偏差，希望各位同行一起讨论学习。
三极管基础知识
三极管又叫晶体管、半导体三极管，是在同一个硅片上制造三个掺杂区域，并形成两个PN结，一般是NPN结或者PNP结。
PN结的理解：P是Positive的缩写，表示正极（+），N是Negative的缩写，表示负极（-）。电流的方向是从正极流向负极，+→-，所以当P电压高、N电压低时就是正向偏置，反之为反向偏置。三极管符号中发射极的箭头就表示从P→N，这样就容易区分谁是P极谁是N极，也容易辨别当前的三极管是NPN型还是PNP型。
三极管的三个极的理解：三极管内部分为三个区，分别为基区（Basic），简写为B；集电区（Collect），简写为C；发射极（Emit），简写E，在图中为画有箭头的一极。基区很薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区是面积很大。
三极管为啥这么重要呢？
因为三极管具有电流放大作用，能把微弱的信号进行放大，提高后端的带载驱动能力，是很多集成电路的关键器件。
常见的三极管外形
三极管的结构和符号
三极管的输入特性（已理解的可直接看输出特性）
在学习了解三极管的特性曲线时，以NPN型硅管为例。
输入特性的定义：Uce不变的情况下，基极电流Ib与Ube之间的函数变化关系。
输入特性曲线
Ube电压克服掉PN结的死区电压之后，随着Ube的增加，基极电流Ib会急速增大，但是△Ube（Ube的变化量不会很大），而且对于硅管而言，Ube的启动电压在0.6~0.8V左右，一般取0.7V。
三极管的输入特性理解起来比较容易。
三极管的输出特性，重要且难
三极管的输出特性理解起来比较困难，这一节我们采用通俗的比喻来理解，请大家耐心往下看。
三极管输出特性定义：当基极电流Ib为一常数时，集电极电流Ic与管压降Uce之间的函数关系。
三极管的输出特性曲线
对于每个确定的Ib，都有一条确定的输出特性曲线，所以输出特性是一组曲线。
从图中可以看出，三极管有三个工作区域：截止区、放大区和饱和区。三个区的典型特征如下：
1）截止区：Ube<Uon且Uce>Ube，即发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置，表现为三极管断路。
三极管通俗的理解：假如我们要打开水龙头获得较大的水流，那么Ube就是我们拧水龙头使用的力气，Ic就是我们最终需要的大水流。三极管就是实现用较小的力气获得很大的水流。
截止区的理解就像一个特别小的孩子去拧水龙头，虽然水压是足够的（Uce>Ube），但是他没有力气把水龙头打开（Ube太小了），所以也不会有大的水流流出来，整个水流回路仍然是断开的。
2）放大区：Ube>Uon且Uce>Ube，即发射结电压大于开启电压且集电结反向偏置，表现为三极管处通路，此时Ic几乎仅取决于Ib，即 Ic=βIb。
放大区的通俗理解：水压足够大（Uce>Ube），且拧水龙头的力气也够大，当力气（Ube或Ib）固定时，水流也是固定的；随着力气的增大（Ube增大，Ib也增大），水流也增大（Ic）。
3）饱和区：Ube>Uon且Uce<Ube，即发射结和集电结均是正向偏置，此时Ube增大时，Ib随之增大，但是Ic增大不多或基本不变。表现为三极管的Ucb约为0，三极管整个压降Uce约为0.7V，可看做是短路。
饱和区
饱和区的通俗理解：因为水压很小（Uce<Ube），即使拧水龙头的力气再大（Ube很大，Ib也足够大），最终的水流也不会很大。当然Uce也是有最初的线性变化过程的，在最开始Uce慢慢变大的过程中，水流Ic也会慢慢变大，但是Uce达不到放大区的临界值时，水流Ic永远不会大过放大区的值。
三极管的应用
正是因为三极管输出有三个工作区域，所以针对不同的区域就会有不同的工程应用。
放大区主要用于电流等微弱信号的放大，通常应用于各类集成电路中，例如集成运放和集成芯片等。
截止区和饱和区常常用于开关作用，例如光耦的应用等。
华为5G芯片内含103亿个晶体管
如上图，将103亿个晶体管集成在如此小的芯片中，国产化这条路很难走，缺的不是原理不是设计，缺的是工艺啊！
什么时候我们也能够实现芯片自由啊？（质量、管理和价格方面）